特許
J-GLOBAL ID:200903078864594683
研磨剤及びスラリー
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-335086
公開番号(公開出願番号):特開2007-129247
出願日: 2006年12月12日
公開日(公表日): 2007年05月24日
要約:
【課題】SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む研磨剤であり、前記酸化セリウム粒子は2個以上の結晶子から構成され結晶粒界を有する酸化セリウム粒子を含み、前記結晶子径が10〜600nmである研磨剤である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む研磨剤であり、
前記酸化セリウム粒子は2個以上の結晶子から構成され結晶粒界を有する酸化セリウム粒子を含み、
前記結晶子径が10〜600nmである研磨剤。
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
FI (5件):
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622B
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (7件):
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
引用特許:
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