特許
J-GLOBAL ID：200903078928775750

硬質炭素膜およびその形成方法

発明者：
寺山 暢之

寺山 暢之 について

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玉岡 克康

玉岡 克康 について

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清水 信行

清水 信行 について


出願人/特許権者：
神港精機株式会社

神港精機株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 正俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-351073
公開番号（公開出願番号）：特開2006-161075
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。【解決手段】 基材10上に、当該基材10と相性の良い中間層としての金属膜12が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層12上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜(高濃度層)14が、プラズマCVD処理によって形成される。さらに、この高濃度層14上に、当該高濃度層14よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜(低濃度層と言う)16が、同プラズマCVD処理により形成される。そして、高濃度層14および低濃度層16が、一連の硬質炭素膜18を成す。このように硬質炭素膜18に含まれるシリコンの量が基材10から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜18の耐面圧性を含めた密着性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基材上に該基材と密着性のある中間層を介して形成された硬質炭素膜において、 シリコンおよび水素を含み、上記基材から遠い部分ほど該シリコンの含有量が少ないことを特徴とする、硬質炭素膜。
IPC (5件)：
C23C 16/26 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  C23C 14/14 ,  C23C 28/00
FI (5件)：
C23C16/26 ,  B32B9/00 Z ,  B32B15/04 Z ,  C23C14/14 D ,  C23C28/00 B
Fターム (48件)：
4F100AA15B ,  4F100AA37C ,  4F100AB11B ,  4F100AB11C ,  4F100AB12B ,  4F100AB13B ,  4F100AB31B ,  4F100AD07B ,  4F100AT00A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH662 ,  4F100JK06 ,  4F100JK09 ,  4F100JK12C ,  4F100JL11 ,  4F100YY00C ,  4K029BA07 ,  4K029BA17 ,  4K029BA21 ,  4K029BA52 ,  4K029BA55 ,  4K029BC00 ,  4K030AA00 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA20 ,  4K030BA06 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA36 ,  4K030BA48 ,  4K030BB13 ,  4K030FA12 ,  4K030JA06 ,  4K030JA08 ,  4K030KA20 ,  4K044BA02 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC06 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (24件)
  • 情報記録再生装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350637   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 保護膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-307767   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 温水栓バルブ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-124380   出願人：住友電気工業株式会社, 日本アイ・ティ・エフ株式会社
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