特許
J-GLOBAL ID：200903079053815260

半導体装置及びその製造方法

発明者：
亀山 工次郎

亀山 工次郎 について

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鈴木 彰

鈴木 彰 について

, 
岡山 芳央

岡山 芳央 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-040408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235859
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】半導体装置及びその製造方法において、信頼性の向上を図る。【解決手段】パッド電極53が形成されたシリコンウエハーの表面にガラス基板56を接着する。次に、シリコンウエハーの裏面からパッド電極53に到達するビアホール81を形成すると同時に、ダイシングライン中心DSに沿って延び、かつシリコンウエハーの裏面からシリコンウエハーを貫通する溝を形成する。その後、加熱処理を伴う工程を含む各種工程により、緩衝層60、配線層63、ソルダーマスク65、ハンダボール66をシリコンウエハーの裏面に形成する。最後に、ダイシングにより、ガラス基板56に支持されたシリコンウエハーを個々のシリコンチップ51Aに分割する。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
パッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第1の主面に支持基板を接着する工程と、 前記半導体基板の第2の主面から前記パッド電極の表面に到達するビアホールを形成すると同時に、ダイシングラインに沿って延び、かつ前記半導体基板の第2の主面から前記半導体基板を貫通する溝を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205
FI (2件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/88 J
Fターム (43件)：
5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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