特許
J-GLOBAL ID：200903098680150694

貼り合わせSOIウエーハの製造方法

発明者：
岩渕 美保

岩渕 美保 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128389
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】貼り合わせSOIウエーハを製造する際にボイドの発生を抑え、生産性の高い貼り合わせSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】2枚のウエーハを貼り合わせることによってSOIウエーハを製造する方法において、微小気泡層を形成した一方のウエーハの前面及び裏面に付着した付着物を機械的に除去した後、化学洗浄を行い、かつ該化学洗浄に用いる薬液中に導入される該除去された遊離付着物が該一方のウエーハの少なくとも前面に再付着しないように該薬液中の該遊離付着物の濃度を所定の値以下に管理するようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
2枚のウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成すると共に、該一方のウエーハの前面から水素イオン又は希ガスイオンを注入して該一方のウエーハ内部に微小気泡層を形成し、次いで該一方のウエーハを化学洗浄し、該一方のウエーハの前面を該絶縁層を介して他方のウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面として該一方のウエーハの一部分を剥離することによって該一方のウエーハを薄膜化し、さらに熱処理を加えて該薄膜化した一方のウエーハと該他方のウエーハとを該絶縁層を介して強固に結合することによって貼り合わせSOIウエーハを製造する方法において、前記微小気泡層を形成した一方のウエーハの前面及び裏面に付着した付着物を機械的に除去した後、前記化学洗浄を行い、かつ該化学洗浄に用いる薬液中に導入される該除去された遊離付着物が該一方のウエーハの少なくとも前面に再付着しないように該薬液中の該遊離付着物の濃度を所定の値以下に管理することを特徴とする貼り合わせSOIウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762
FI (3件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/76 D
Fターム (8件)：
5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032DA21 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 半導体製造装置実用便覧, 19841225, 275-276頁

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