金属研磨用水系分散体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鳴井義夫 , 清水猛 , 伊藤穣 , 武井英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349130
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116778
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用水系分散体およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】ポリオキソ酸、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤とから形成される複合体粒子を含有することを特徴とする金属研磨用水系分散体およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリオキソ酸、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤とから形成される複合体粒子を含有することを特徴とする金属研磨用水系分散体。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550C , C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

出願人引用 (9件)

米国特許第4,702,792号明細書
米国特許第4,944,836号明細書
米国特許第5,209,816号明細書

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