特許
J-GLOBAL ID：200903079109739414

フリップチップデバイス製造方法及び半導体実装用補強組成物

発明者：
西田 裕文

西田 裕文 について


出願人/特許権者：
ナガセケムテックス株式会社

ナガセケムテックス株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 信也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249324
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087965
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】チップとインターポーザ間の封止保護が可能なウエハーレベルフリップチップデバイス製造方法、及び、再溶融させて半導体チップをリペアするときクリーニング性に優れ、かつ、耐熱性にも優れた半導体実装用補強組成物を提供する。【解決の手段】シリコンチップ上のバンプとインターポーザのパッドとを溶融接合するとともに、加熱により再流動化可能な熱硬化性樹脂を用いた補強組成物を再流動化させて両者の隙間を充填する工程を有するウエハーレベルフリップチップデバイス製造方法、並びに、特定の芳香族2官能エポキシ化合物の1種又は2種、特定の芳香族2官能フェノール化合物の1種又は2種以上の化合物並びにリン系触媒等の1種又は2種以上の化合物を含有し、エポキシ成分とフェノール成分とのモル数の比が0.8/1〜1.2/1である補強組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)バンプが形成されたシリコンウエハーに、再溶融可能な重合性樹脂組成物からなる補強組成物を塗布する工程、 (b)前記補強組成物をタックフリー化する工程、及び、 (c)プリント配線基板を前記バンプに接合するために、前記バンプと前記プリント配線基板のパッドとを接合するとともに、前記補強組成物を再流動化させてバンプ形成面とプリント配線基板との隙間を充填する工程、 を含むフリップチップデバイス製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12
FI (3件)：
H01L21/60 311Q ,  H01L21/56 E ,  H01L23/12 501B
Fターム (9件)：
5F044LL11 ,  5F044LL13 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061CA10 ,  5F061CA12 ,  5F061CB03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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