キャパシタ及びキャパシタの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-503297
公開番号（公開出願番号）：特表2001-525986
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】キャパシタを形成する方法は、キャパシタへの電気的接続がなされるノード位置を有した基板(30)を形成する過程と、前記ノード位置の上に、露出した側壁(61)を有した内側キャパシタ板(60)を形成する過程と、前記露出した内側キャパシタ板側壁の上に酸化バリア層(70)を形成する過程と、前記内側キャパシタ板上にキャパシタ誘電体板(90)を形成する過程であって、そのキャパシタ誘電体板の形成中、前記酸化バリア層が内側キャパシタ板側壁の酸化を阻止するように行われる、キャパシタ誘電体板を形成する過程と、キャパシタ誘電体板の上に外側キャパシタ板(100)を形成する過程とから成る。更に、少なくとも一つの側壁を有する内側キャパシタ板と、前記少なくとも一つの側壁に対してそれを被覆するように設けられる酸化バリア層と、前記内側キャパシタ板上に設けられるキャパシタ誘電体板と、前記キャパシタ誘電体板の上に設けられる外側キャパシタ板とから成るキャパシタが開示される。発明の好適実施形態によれば、絶縁性誘電体層(80)が酸化バリア層(70)の上に設けられ、その絶縁性誘電体層は酸化バリア層とは異なる組成物からなっている。

請求項（抜粋）：

キャパシタを形成する方法であって、該方法は、キャパシタへの電気的接続がなされるノード位置を有した基板を提供する過程と、前記ノード位置の上に、露出した側壁を有する内側キャパシタ板を形成する過程と、前記露出した内側キャパシタ板側壁の上に酸化バリア層を形成する過程と、前記内側キャパシタ板上にキャパシタ誘電体板を形成する過程であって、そのキャパシタ誘電体板の形成中、前記酸化バリア層が内側キャパシタ板側壁の酸化を阻止するように行われる、キャパシタ誘電体板を形成する過程と、キャパシタ誘電体板の上に外側キャパシタ板を形成する過程と、から成ることを特徴とするキャパシタ形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 444 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007199 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の層間絶縁膜構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003727 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-221646

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