特許

J-GLOBAL ID：200903003832219864

薄膜素子及びその製造方法

発明者： 知京 豊裕 ,  劉 泳祚 ,  鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司 ,  小西 義則 ,  米澤 喜幸
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  東京工業大学長 ,  富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
代理人 (3件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-191447
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006562
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】Si単結晶基板上に適当なバッファ層を介してイオン結晶をエピタキシャル成長させた薄膜素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】Si単結晶基板1上にまずZnS層2をエピタキシャル成長させ、その上にイオン結晶の薄膜(n-GaN層3とGaN層4とp-GaN層5)を形成する。このZnS薄膜は結晶性の良い配向膜で表面平坦性も良く、ZnSを一旦Si単結晶基板上にエピタキシャル成長させることができれば、続けてイオン結晶薄膜をエピタキシャル成長し易い。したがって、ZnSをバッファ層とすることでSiと格子定数に差があるイオン結晶もSi単結晶基板上に格子欠陥の少ないエピタキシャル薄膜を容易に形成することが可能となり、それを利用した薄膜デバイスの特性を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に、エピタキシャル成長により形成された硫化亜鉛層からなるバッファ層と、該硫化亜鉛層上にエピタキシャル成長により形成されたイオン結合性を有する化合物の薄膜を備えたことを特徴とする薄膜素子。

IPC (6件)：

H01L29/26 ,  H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01L29/26 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L27/04 C

Fターム (25件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA77 ,  5F045AB14 ,  5F045AB22 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002835   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211793   出願人：旭化成工業株式会社
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217101   出願人：ミノルタ株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351051   出願人：スタンレー電気株式会社
• p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-313842   出願人：富士電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性