メモリシステムおよびメモリセルを置換する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051890
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027138
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ある与えられたメモリ素子の欠陥ロウまたはカラムを、別のメモリ素子の正常動作ロウまたはカラムと置換することを可能にするメモリ素子およびそれに対応づけられたシステムアーキテクチャを提供する。【解決手段】メモリセルアレイを有する第1のメモリユニット201と、いくつかの冗長セルを含むメモリセルアレイを有する第2のメモリユニット201と、を備えたメモリシステム200である。第1のメモリユニット201のアレイにおける欠陥セルに対応するアドレスを第2のメモリユニット201へと切り替えて、冗長セルの中から選択されたあるセルへとアクセスするためのクロスバースイッチ202が設けられる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルから構成されるアレイを有する第1のメモリユニットと、いくつかの冗長セルを含む複数のメモリセルから構成されるアレイを有する第2のメモリユニットと、該第1のメモリユニットの該アレイにおける欠陥セルに対するアドレスを該第2のメモリユニットに切り替えることによって、該いくつかの冗長セルの中から選択されたあるセルへとアクセスするように動作可能である、クロスバースイッチと、を備えているメモリシステム。

IPC (2件)：

G06F 12/16 310 , G11C 29/00 603

FI (2件)：

G06F 12/16 310 Q , G11C 29/00 603 Z

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-229865 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-180350
メモリモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-266183 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (9件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-229865 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-180350
特開昭61-180350

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