特許
J-GLOBAL ID：200903079318642479

ドライエッチング方法

発明者：
原島 啓一

原島 啓一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074103
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266198
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】シリコン酸化膜に対してBPSG膜を選択的にエッチングする。【解決手段】炭素,フッ素もしくはこれに水素を含んだ化合物気体(CF4 ,C2 F6 ,C3 F8 ,CHF3 )とCH2 F2 との混合気体を用い、ドライエッチングを行なうことによりシリコン酸化膜に対してBPSG膜を選択的かつ異方的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜に対してBPSG膜もしくはPSG膜を選択的かつ異方的にドライエッチングする方法であって、エッチングガスとして炭素,フッ素もしくはこれに水素を含む化合物ガスを用い、添加ガスとしてCH2 F2 を用いることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E
引用特許：
審査官引用 (5件)
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