特許
J-GLOBAL ID:200903079342710272
半導体レーザモジュール、半導体レーザ光の制御方法及び映像表示装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-123704
公開番号(公開出願番号):特開2004-326008
出願日: 2003年04月28日
公開日(公表日): 2004年11月18日
要約:
【課題】この発明は、簡易な構成で半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を高効率及び高光密度で光ファイバケーブルに入射させることを可能とした半導体レーザモジュール、半導体レーザ光の制御方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上記した半導体レーザモジュールを用いた映像表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体レーザ素子29から出射され、コリメート手段25,26によってコリメートされたレーザ光が、光ファイバケーブル30の有効開口数を超える場合に、該レーザ光の少なくとも一部を光ファイバケーブル30の有効開口数を満たす位置に平行移動させるビーム整形手段27,28を備える。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子から出射されるレーザ光をコリメートするコリメート手段と、
このコリメート手段から出射されたレーザ光が光ファイバケーブルの有効開口数を超える場合に、該レーザ光の少なくとも一部を前記光ファイバケーブルの有効開口数を満たす位置に平行移動させるビーム整形手段と、
このビーム整形手段から出射されたレーザ光を、前記光ファイバケーブルの光入射端面に集光させる集光手段とを具備したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (5件):
G02B6/42
, G02B6/32
, G02F1/13
, H01S5/02
, H01S5/50
FI (5件):
G02B6/42
, G02B6/32
, G02F1/13 505
, H01S5/02
, H01S5/50 630
Fターム (22件):
2H037AA04
, 2H037BA03
, 2H037BA32
, 2H037CA15
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA05
, 2H037DA06
, 2H088EA14
, 2H088EA15
, 2H088HA13
, 2H088HA23
, 2H088HA24
, 2H088HA28
, 2H088KA30
, 2H088MA06
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA09
, 5F073EA18
, 5F073EA21
, 5F073FA08
引用特許:
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