特許

J-GLOBAL ID：200903079391383287

選択的な膜除去のための洗浄溶液及びその洗浄溶液を使用してシリサイド工程で膜を選択的に除去する方法

発明者： 金 相溶 ,  李 根澤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406451
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186698
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】シリサイド膜工程中にチタン窒化膜及び反応しない未反応金属膜を選択的に除去する洗浄溶液は酸性溶液及びヨウ素含有酸化剤を含む。【解決手段】このような洗浄溶液は、またフォトレジスト膜及び有機物の除去にも非常に効果的である。さらに、前記洗浄溶液はタングステンは除去しなので、素子動作特性の向上のために最近多くの注目を浴びるタングステンゲート電極技術に非常に有用に適用することができる。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

半導体製造工程中に金属膜を選択的に除去する方法において、 洗浄溶液で金属膜を除去し、前記洗浄溶液は酸性溶液及びヨウ素含有酸化剤を含むことを特徴とする金属膜除去方法。

IPC (7件)：

H01L21/308 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (7件)：

H01L21/308 G ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/88 Q ,  H01L29/78 301P ,  H01L21/30 572B

Fターム (65件)：

4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD23 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043DD07 ,  5F043EE22 ,  5F046MA02 ,  5F046MA10 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA14 ,  5F140BC06 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG34 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK24 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151376   出願人：株式会社フロンテック, 橋本化成株式会社, 大見忠弘
• 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-047572   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-178505   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269641   出願人：富士通株式会社