特許
J-GLOBAL ID：200903050355942964
半導体素子の製造方法及び半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031114
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 効率的な伝導体プラグの形成及び層間絶縁膜の段差の最小化を実現することができる半導体素子の製造方法に関する。【解決手段】 本発明は、半導体基板220上でコンタクトホールを埋没させながら絶縁膜上に所定の伝導体膜を形成する段階と、伝導体膜が形成された半導体基板220を回転させる段階と、回転する半導体基板220上にH2O2,O2,IO4-,BrO3,ClO3,S2O8-,KIO3,H5IO6,KOH及びHNO3からなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の酸化剤、HF,HN4OH,H3PO4,H2SO4,NH4F及びHClからなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の増強剤、並びに緩衝液を所定の比率で混合したエッチング液を供給し、伝導体膜がコンタクトホール内にのみ存在し、絶縁膜上には存在しないように伝導体膜をエッチングする段階とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に所定の絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜内にコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを埋没しながら前記絶縁膜上に所定の伝導体膜を形成する段階と、前記伝導体膜が形成された半導体基板を回転させる段階と、前記回転する半導体基板上にH2O2,O2,IO4-,BrO3,ClO3,S2O8-,KIO3,H5IO6,KOH及びHNO3からなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の酸化剤、HF,HN4OH,H3PO4,H2SO4,NH4F及びHClからなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の増強剤、並びに緩衝液を所定の比率で混合したエッチング液を供給して、前記伝導体膜が前記コンタクトホール内にのみ存在し、前記絶縁膜上には存在しないように前記伝導体膜をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/308
, H01L 21/3213
H01L 21/306 J
, H01L 21/308 F
, H01L 21/88 C
審査官引用 (14件)
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配線形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-151481
出願人：ソニー株式会社
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半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-218500
出願人：株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-095521
出願人：川崎製鉄株式会社
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