特許
J-GLOBAL ID：200903079399083550

半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにMIS型半導体装置およびその製造方法。

発明者：
岩上 哲一

岩上 哲一 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093275
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278580
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 高耐圧で信頼性の高い半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにMIS型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 プラズマCVD装置を用い、モノシランガス、水素ガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを用い、前記水素ガスの全流量に対する流量比が0.2%から5%の条件で形成された窒化珪素膜をキャパシタ膜、パッシベーション膜、ゲート絶縁膜またはマスク膜に用いた半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにMIS型半導体装置およびその製造方法。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体からなる動作層と、 該動作層上に、モノシランガス、水素ガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを用い、前記水素ガスの全流量に対する流量比が0.2%から5%の条件で形成された窒化珪素膜と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/04 C ,  H01L29/80 B ,  H01L21/90 K
Fターム (54件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030JA05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL02 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GS04 ,  5F102GV08 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BD07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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