特許
J-GLOBAL ID：200903079476622493

半導体製造装置

発明者：
東 清一郎

東 清一郎 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277452
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 レーザー結晶化時のシリコン脱離に起因するレーザー導入窓の透過率変化をおさえ、高いスループットを持つ半導体製造装置をあたえる。【解決手段】 レーザー導入窓520に誘導結合型の放電電極523を有し、エッチングガスによって短時間にシリコンのエッチングをおこなう。
請求項（抜粋）：
減圧容器内の半導体に光を照射することにより熱処理をおこなう半導体製造装置において、該減圧容器内に放電電極を具備することを特徴とする半導体の製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/268 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (43件)：
5F052AA02 ,  5F052AA04 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052FA00 ,  5F052JA10 ,  5F110AA17 ,  5F110AA19 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ24
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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