特許
J-GLOBAL ID：200903079503687470

気相成長装置内の処理方法、薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者：
山本 朝恵

山本 朝恵 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164126
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347447
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】気相成長装置を用いて、高品質な薄膜を、生産効率よく安定して形成する。【解決手段】気相成長装置100を用いてウェハー上に金属化合物膜を形成する方法であって、気相成長装置100内に、Hf元素またはZr元素を含む、金属化合物膜の原料ガスを導入してウェハー上に金属化合物膜を形成する工程と、気相成長装置100内から金属化合物膜が形成されたウェハーを取り出す工程と、気相成長装置100内に反応性ガスを導入し、気相成長装置100内に残存する原料ガス由来の未反応有機物180を固定化する工程と、気相成長装置100内に別のウェハーを導入する工程と、気相成長装置100内に、未反応有機物180が固定化されて存在している状態で、さらに原料ガスを導入して別のウェハー上に金属化合物膜を形成する工程と、を含む金属化合物膜の形成方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
気相成長装置内で有機原料を用いて薄膜成長を行った後の前記気相成長装置内の処理方法であって、 前記気相成長装置内に反応性ガスを導入し前記気相成長装置内に残存する前記原料由来の未反応有機物を前記気相成長装置内に固定化する工程を含むことを特徴とする気相成長装置内の処理方法。
IPC (5件)：
H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 621C
Fターム (38件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F083AD24 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG37
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM