薄膜の微細加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062524
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260799
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のゲート電極加工においてウエハの大口径化やパターンの疎密によって生じるエッチング均一性の低下を防止する。【解決手段】0.1Pa以下の低ガス圧力条件でゲート電極のエッチングを行う。ポリシリコンの終点時に起こる酸化膜の損傷を防止するため、光干渉式リアルタイム膜厚モニタでポリシリコン残膜を検知し、終点直前に高選択エッチング条件に切り換える。【効果】直径300mmの大口径ウエハでも高精度で加工できる。

請求項（抜粋）：

光学的に透明な薄膜を有する試料を圧力0.1Pa以下のプラズマを用いてエッチングする工程において、前記試料の透明薄膜が所定膜厚まで減少したことをリアルタイム膜厚モニタで検知し、当該検知に応答してエッチング条件を変更することを特徴とする薄膜の微細加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-239858 出願人：三菱電機株式会社
デバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293171 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
特開昭62-097332

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