特許
J-GLOBAL ID:200903079559588858
絶縁膜用ワニスおよび絶縁膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-112487
公開番号(公開出願番号):特開2005-139424
出願日: 2004年04月06日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】 電気特性、熱特性、機械特性および物理特性に優れ、特に誘電率が低く耐熱性に優れた絶縁膜用ワニスおよび絶縁膜を提供する。【解決手段】 嵩高い構造を有するビスアミノフェノール化合物と、ジカルボン酸化合物とを反応させて得られる、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体を主構造とする重合体、(B)前記成分(A)を溶解もしくは分散することが可能である有機溶剤、からなることを特徴とする、絶縁膜用ワニス。前記絶縁膜用ワニスを用いて得られた有機絶縁膜であって、脱水縮合反応を経て調製された、ポリベンゾオキサゾール樹脂を主構造とする樹脂層からなることを特徴とする絶縁膜。
請求項(抜粋):
(A)一般式(1)で表されるジアミノフェノール化合物と、一般式(4)で表されるジカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体を主構造とする重合体、
および(B)前記成分(A)を溶解もしくは分散することが可能である有機溶剤、
を含むことを特徴とする、絶縁膜用ワニス。
IPC (3件):
C08G73/22
, H01L21/312
, H01L21/768
FI (3件):
C08G73/22
, H01L21/312 A
, H01L21/90 S
Fターム (34件):
4J043PA04
, 4J043QB15
, 4J043QB23
, 4J043RA52
, 4J043SA06
, 4J043SA71
, 4J043SB01
, 4J043TA12
, 4J043TA42
, 4J043TA71
, 4J043TB01
, 4J043UA04
, 4J043UA11
, 4J043UA13
, 4J043UA14
, 4J043UA15
, 4J043UA21
, 4J043UB01
, 4J043UB31
, 4J043XA04
, 4J043XA19
, 4J043ZB01
, 4J043ZB02
, 4J043ZB03
, 5F033RR21
, 5F033SS22
, 5F033XX00
, 5F033XX14
, 5F033XX24
, 5F058AA04
, 5F058AA08
, 5F058AC10
, 5F058AF04
, 5F058AH02
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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