半導体装置及びその製造方法並びに通信機

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136317
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330096
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】複数のゲートフィンガーを有する一つのFETのなかの各ゲートフィンガーのしきい値のばらつきを低減し、しきい値付近での電流の遮断特性を向上させ、高周波特性を改善したFETを得る。【解決手段】 FETの両端部分のゲートフィンガー4a,4bを、そのFETの両端部分のゲートフィンガー以外のゲートフィンガー部分から分離したFETとする。この際、分離するFETの両端部分のフィンガー4a,4bの本数は少なくとも各2本とする。

請求項（抜粋）：

メサ部を有する化合物半導体基板と、前記メサ部の上側の面に形成された電界効果トランジスタを有し、前記電界効果トランジスタのソース、ドレイン電極となるオーミック電極とゲート電極とが、両端が前記オーミック電極となるように交互に配列されており、前記ゲート電極は3本以上有り、前記端から数えて1本の前記オーミック電極と1本の前記ゲート電極を1組としたとき、前記両端とも少なくとも1組以上を除いて、他の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極同士は接続されて一つの電極として働くことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/417 , H01L 29/78 , H01L 29/778 , H04B 1/04 , H04B 1/40

FI (6件)：

H01L 29/80 L , H04B 1/04 A , H04B 1/40 , H01L 29/50 J , H01L 29/78 301 W , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭53-072474
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-183367 出願人：株式会社デンソー
特開平4-082263

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