特許
J-GLOBAL ID：200903079615818616
微小電気機械デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-175554
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】微小電気機械要素と集積回路との両方の高性能化が可能な微小電気機械デバイスを提供する。 【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサと集積回路3とが1つの素子形成基板1に形成されたジャイロセンサ装置であり、素子形成基板1が、シリコン基板1Aと、シリコン基板1Aの厚み方向の一表面側に設けられシリコン基板1Aよりも抵抗率の大きなシリコン基板1Bとを有した多層基板であり、ジャイロセンサがシリコン基板1Aとシリコン基板1Bとに亙って形成されるとともに、集積回路3がシリコン基板1Bに形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
微小電気機械要素と集積回路とが1つの素子形成基板に形成された微小電気機械デバイスであって、素子形成基板が、第1の半導体基板と、第1の半導体基板の厚み方向の一表面側に設けられ少なくとも一部が第1の半導体基板よりも抵抗率の大きな第2の半導体基板とを有した多層基板であり、微小電気機械要素が少なくとも第1の半導体基板に形成されるとともに、集積回路が第2の半導体基板において第1の半導体基板よりも抵抗率の大きな部分に形成されてなることを特徴とする微小電気機械デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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半導体圧力センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-260247
出願人：日本電装株式会社
審査官引用 (3件)
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