特許
J-GLOBAL ID：200903079617327873
エピタキシャルウエーハの製造方法及びエピタキシャルウエーハ、並びにエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237247
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 簡易な方法により結晶性に優れ、IG能力の高いエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】 炭素がドープされたCZシリコンウエーハに1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。及び、炭素がドープされたCZシリコンウエーハである基板と、1000°C未満の温度で成長されたエピタキシャル層からなるエピタキシャルウエーハ。並びに、1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うためのエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハであって、該CZシリコンウエーハは炭素がドープされたものであるエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハ。
請求項（抜粋）：
炭素がドープされたCZシリコンウエーハに1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
H01L 21/322 Y
, H01L 21/205
5F045AB02
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AF17
, 5F045BB12
, 5F045DA59
