特許

J-GLOBAL ID：200903079683153096

絶縁膜の形成方法および多層配線

発明者： 川原 潤 ,  多田 宗弘 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042209
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230244
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の低誘電率高分子膜の形成において、高耐熱性とCMP耐性を有する配線層間絶縁膜を効率良く成長させる製造方法を提供する。【解決手段】 ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン・モノマーを気化制御器6にて気化し、反応室11に導入し0.2W/cm2以下の低パワープラズマ中にて350°C以上に加熱された基板14上にプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテンを成長させて高耐熱性を有するベンゾシクロブテン膜を効率よく成膜できるようにする。また、成長初期には低成長圧力として相対的に誘電率の小さいプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン膜を成長させ、その後成長圧力を増加させて緻密なプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン膜を連続的に成長させることで膜表面の機械強度を増強してCMP耐性を確保する。

請求項（抜粋）：

気化したベンゾシクロブテン・モノマーを反応室内に導入し、プラズマ雰囲気中にて、加熱ステージ上に載置された基板上に前記ベンゾシクロブテン・モノマーを骨格に含むプラズマ重合高分子膜を成膜する工程を含む絶縁膜の形成方法において、前記加熱ステージは350°C以上に加熱されていることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  B01J 19/08 ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 A ,  B01J 19/08 H ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/90 S

Fターム (56件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA32 ,  4G075AA62 ,  4G075BA10 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA05 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4J032CA12 ,  4J032CA32 ,  4J032CE14 ,  4J032CE22 ,  4J032CE24 ,  4J032CG00 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033WW07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BH20

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 高分子膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-170016   出願人：日本電気株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社
• 層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-284781   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317941   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-306864   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222016   出願人：株式会社東芝