高周波増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273650
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106386
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】接地インダクタンスを低減して、特性が大幅に向上できる高効率でかつ高利得な高周波増幅器を提供する。【解決手段】半導体チップのHBTの電極上かつ半導体チップの中心よりも縁側に接地用バンプを形成する。フリップチップボンディング法により、回路基板10の表面に形成された第1接地電極11Dに半導体チップの接地用バンプを接合する。上記半導体チップの中心に対して接地用バンプが接合された接合位置13よりも外側でかつ接合位置13に対して所定の間隔をあけて回路基板10に接地用のビアホール12を形成する。上記接地用のビアホール12により回路基板10の表面の第1接地電極11Dと回路基板10の裏面の第2接地電極とを接続する。

請求項（抜粋）：

少なくとも増幅素子と上記増幅素子の信号入力電極および上記増幅素子の信号出力電極とを有する半導体チップと、上記半導体チップがフリップチップボンディング法により実装された回路基板とを備えた高周波増幅器において、上記半導体チップの上記増幅素子の電極上かつ上記半導体チップの中心よりも縁側に形成された接地用バンプと、上記回路基板の表面に形成され、上記半導体チップの上記接地用バンプが接合された第1接地電極と、上記回路基板の裏面に形成された第2接地電極と、上記半導体チップの中心に対して上記接地用バンプが接合された接合位置よりも外側でかつ上記接合位置に対して所定の間隔をあけて上記回路基板に形成され、上記第1接地電極と上記第2接地電極とを接続するビアホールとを備えたことを特徴とする高周波増幅器。

IPC (7件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 321 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H03F 3/189 , H03F 3/60

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 321 X , H03F 3/189 , H03F 3/60 , H01L 29/205 , H01L 29/72

Fターム (35件)：

5F003BF01 , 5F003BF06 , 5F003BG01 , 5F003BH01 , 5F003BH16 , 5F003BJ99 , 5F003BM02 , 5F003BZ05 , 5F044GG10 , 5F044KK04 , 5F044KK07 , 5F044KK11 , 5F044QQ02 , 5J067AA01 , 5J067CA35 , 5J067CA36 , 5J067FA16 , 5J067HA06 , 5J067HA24 , 5J067KA66 , 5J067KS00 , 5J067QA03 , 5J067QA04 , 5J067QS02 , 5J067SA13 , 5J092AA01 , 5J092CA35 , 5J092CA36 , 5J092FA16 , 5J092HA06 , 5J092HA24 , 5J092KA66 , 5J092QA03 , 5J092QA04 , 5J092SA13

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-173436
半導体チップ、その製造方法、半導体素子、および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-339610 出願人：シャープ株式会社
化合物半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064102 出願人：株式会社日立製作所

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