半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364082
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129745
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】バリア層の酸化による配線の酸化、ボイドの発生および配線抵抗の増大を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】基板11上の第1の層間絶縁膜13に設けられた接続孔15および、第2の層間絶縁膜14に設けられた配線溝16の内壁を覆う状態で第1のバリア層21が設けられている。また、第1のバリア層21上に設けられた第2のバリア層22を介して、接続孔15および配線溝16にはCuからなるビア18および配線19がそれぞれ設けられている。そして、第1のバリア層21は金属で形成されており、第1のバリア層21の酸化物は、第2のバリア層22の酸化物よりも高い導電性を有することを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に設けられた溝パターンと、前記溝パターンの内壁を覆う状態で設けられた第1のバリア層と、前記第1のバリア層上に設けられた第2のバリア層と、前記溝パターンの内部に前記第1のバリア層と前記第2のバリア層とを介して設けられた導電層とを備えた半導体装置であって、前記第1のバリア層は金属で形成されており、当該第1のバリア層の酸化物は、前記第2のバリア層の酸化物よりも高い導電性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (1件)：

H01L21/88 R

Fターム (43件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH35 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ35 , 5F033KK11 , 5F033LL09 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033WW00 , 5F033XX00 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030432 出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059455 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-369469 出願人：株式会社東芝
誘導マイクロコンポーネントを組み込んだ電子コンポーネントの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-351667 出願人：メムスカップ

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