特許
J-GLOBAL ID：200903079855784727
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156065
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】メンテナンス頻度をなるべく小さくできると共にパーティクルの発生も抑制または防止できる窒化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして石英反応容器内に流して、熱CVD法により窒化シリコン膜を石英反応容器内に設けられた半導体ウェーハ上に形成する工程を所定回数繰り返した後に、石英反応容器内にNF3ガスを流して、石英反応容器内に形成された窒化シリコンを除去し、その後また、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして石英反応容器内に流して、熱CVD法により窒化シリコン膜を石英反応容器内に設けられた半導体ウェーハ上に形成する工程を所定回数繰り返す。
請求項（抜粋）：
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして反応容器内に流して、熱CVD法により窒化シリコン膜を前記反応容器内に設けられた被成膜体上に形成する工程と、その後、前記反応容器内にNF3ガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程と、その後、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応容器内に流して、熱CVD法により窒化シリコン膜を前記反応容器内に設けられた被成膜体上に形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (11件)：
5F058BA05
, 5F058BC08
, 5F058BE04
, 5F058BF04
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BH12
, 5F058BJ01
