特許
J-GLOBAL ID：200903079857855010

固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ

発明者：
白石 聡子

白石 聡子 について

, 
渡邉 高典

渡邉 高典 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257313
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073885
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】光が入射することによって電荷を発生する受光部が形成された半導体基板上に表面保護膜を有する固体撮像装置において、表面保護膜にクラックなどが発生するのを抑制する。【解決手段】半導体基板のp型ウェル領域104中に、受光部を構成するn型蓄積領域106が形成されている。半導体基板上には、層間絶縁膜105bを介して表面保護膜として機能するシリコン窒化膜102が形成されている。シリコン窒化膜102は、膜厚の互いに異なる領域を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板に形成され、光が入射することによって電荷を発生する受光部とを有する固体撮像装置であって、 前記半導体基板上に水素供給膜を有し、該水素供給膜の、前記受光部に対応する領域の少なくとも一部は、その他の箇所よりも膜厚が厚いことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D
Fターム (14件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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