特許
J-GLOBAL ID：200903080025345273
窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045986
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335048
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】動作電圧が低く、且つ、横モードの安定性が良好な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子10は、第1コンタクト層14、第1クラッド層16、活性層20、第2クラッド層24、第2コンタクト層26、及び、第2電極30が順次積層された構造を有し、第2クラッド層24は、下層24A及び上層24Bから構成され、第1クラッド層14、活性層20及び第2クラッド層の下層24Aはメサ構造を有し、第2クラッド層の上層24Bび第2コンタクト層26はリッジ構造を有し、メサ構造の頂面に相当する第2クラッド層の下層24Aの部分の上には、第2クラッド層の上層24Bの両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆した絶縁層40が形成されており、更に、絶縁層40の頂面から第2電極30の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有する金属層42が形成されている。
請求項（抜粋）：
(A)基板上に形成された第1コンタクト層、(B)第1コンタクト層上に形成された第1電極、(C)第1コンタクト層上に形成された第1クラッド層、(D)第1クラッド層上に形成された活性層、(E)活性層上に形成された第2クラッド層、(F)第2クラッド層上に形成された第2コンタクト層、及び、(G)第2コンタクト層上に形成された第2電極、から成り、第2クラッド層は、下層及び上層から構成され、第1コンタクト層、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、及び、第2コンタクト層は、窒化物系化合物半導体層から成り、第1クラッド層、活性層、及び、第2クラッド層の下層は、メサ構造を有し、第2クラッド層の上層、及び、第2コンタクト層は、メサ構造の幅よりも狭い幅のリッジ構造を有し、第2コンタクト層と第2電極の界面において、第2電極は、第2コンタクト層と実質的に同じ幅を有し、メサ構造の頂面に相当する第2クラッド層の下層の部分の上には、第2クラッド層の上層の両側面のそれぞれの少なくとも一部分を被覆した絶縁層が形成されており、更に、絶縁層の頂面から第2電極の頂面に亙り、メサ構造の幅と実質的に同じ幅を有する金属層が形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/223
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323 610
H01S 5/223
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323 610
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA23
