半導体レーザー装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027940
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】動作電圧が低く、活性層に平行方向のレーザー光が屈折率分布で閉じ込められて、単一モードで連続発振する低しきい値の半導体レーザー装置を実現する。【解決手段】 MOVPE法を用い、まずp型SiC基板302上に、p型AlNバッファー層303からn型AlGaNクラッド層306までの各層を結晶成長する。次に結晶成長後SiO2膜311をCVD法により全面に堆積し、ホトリソグラフィとエッチングによりストライプ状のリッジ310を形成する。再びMOVPE法により、絶縁層307を成長する。この時、SiO2膜上には結晶成長せずにリッジの両側のみを絶縁層で埋めることが出来る。最後に、SiO2膜をエッチングで除去した後もう一度MOVPE法によりn型GaNコンタクト層308を結晶成長し、n側電極309とp型基板側電極301を蒸着して半導体レーザーが完成する。p型SiC基板を用いて、基板と反対側のn側の電極を形成する半導体層をn型とすることにより、接触抵抗を小さくでき、動作電流の低減が図れる。

請求項（抜粋）：

p型SiC基板または、p型ZnO基板上のAlxGayIn1-x-yN半導体の多層膜により構成されることを特徴とする半導体レーザー装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-043581 出願人：株式会社東芝
特開平4-236478
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253784 出願人：三洋電機株式会社

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