特許
J-GLOBAL ID：200903080053824659

半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ

発明者：
矢野 正三

矢野 正三 について

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盛島 泰正

盛島 泰正 について

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喜多 賢二

喜多 賢二 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 飯田 敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-318445
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128577
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】チッピングの発生防止とコンパクトパッケージの要求を両立させる接着剤付きの薄膜で小さい半導体チップの製造方法を提供すること。【解決手段】(a)予め半導体ウエハ基板表面の貫通部相当部位に、半導体ウエハの最終製品厚さ程度に又はそれより深く溝切り加工する工程と、(b)溝切り加工された半導体ウエハ基板表面に保護用粘着テープを貼合する工程と、(c)予め溝切り加工された部位が貫通する厚さまで半導体ウエハ基板を薄膜化する工程と、(d)半導体ウエハ基板の裏面研削加工終了後に当該保護用粘着テープを貼り合わせたまま、半導体ウエハ基板の裏面にダイボンドシートを貼り合せる工程と、(e)前記半導体ウエハの貫通部に沿って、当該ダイボンドシートにレーザーを照射して切断する工程とを有する、接着剤付き半導体チップの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(a)予め半導体ウエハ基板表面の貫通部相当部位に、半導体ウエハの最終製品厚さ程度に、またはそれより深く溝切り加工する工程と、(b)溝切り加工された半導体ウエハ基板表面に保護用粘着テープを貼合する工程と、(c)予め溝切り加工された部位が貫通する厚さまで半導体ウエハ基板を薄膜化する工程と、(d)半導体ウエハ基板の裏面研削加工終了後に当該保護用粘着テープを貼り合わせたまま、半導体ウエハ基板の裏面にダイボンドシートを貼り合せる工程と、(e)前記半導体ウエハの貫通部に沿って、当該ダイボンドシートにレーザーを照射して切断する工程とを有する、接着剤付き半導体チップの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/683
FI (5件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/52 C ,  H01L21/68 N ,  H01L21/78 M
Fターム (7件)：
5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F047BA21 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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