特許
J-GLOBAL ID：200903080067772465

配線基板及びその製造方法

発明者：
仁田尾 智広

仁田尾 智広 について


出願人/特許権者：
京セラSLCテクノロジー株式会社

京セラSLCテクノロジー株式会社 について


代理人 (4件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎 ,  福本 将彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-101495
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286724
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 微細配線が要求される表層の導体層を微細なパターンで精度よく形成することを可能にするとともに、導体層と絶縁基板との間の接着強度を高めて剥離を抑え、且つ半導体素子や外部電気回路基板との良好な電気的接続を実現する。【解決手段】 複数の絶縁層1を積層した絶縁基板2の表面及び絶縁層1の間に、金属箔から成る導体層3がそれぞれ埋設されている。絶縁基板2の表面に埋設された表面導体層3Aの結晶粒径が、絶縁層1の間に埋設された内部導体層3Bの結晶粒径よりも小さく設定されている。表面導体層3A、内部導体層3Bは何れも電解めっきにより形成されている。表面導体層3Aについては、絶縁層1に埋設された側の主面がマット面であり、露出する側の主面がシャイニー面である。内部導体層3Bについては、埋設された側の主面が酸等の溶液処理により粗化されたシャイニー面であり、反対側の主面がマット面である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数層の導体層を有する多層構造の配線基板であって、 絶縁基板と、 前記絶縁基板の表面に埋設された金属箔から成る表面導体層と、 前記絶縁基板の内部に埋設された金属箔から成る内部導体層と、を備え、 前記表面導体層の結晶粒径が前記内部導体層の結晶粒径よりも小さく、 前記表面導体層は、その埋設された側の主面がマット面又は粗化されたマット面から成る粗化面であるとともに、露出する側の主面がシャイニー面から成る非粗化面又は粗化されたシャイニー面から成る粗化面であり、 前記内部導体層は、一主面がマット面から成る粗化面であり、他主面が粗化されたシャイニー面から成る粗化面であることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/38 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H05K3/46 S ,  H05K3/46 G ,  H05K3/38 B ,  H01L23/12 N
Fターム (28件)：
5E343AA02 ,  5E343BB02 ,  5E343BB12 ,  5E343BB24 ,  5E343BB67 ,  5E343BB71 ,  5E343DD43 ,  5E343EE52 ,  5E343GG04 ,  5E343GG08 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346BB15 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346DD22 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE13 ,  5E346EE18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5E346HH26
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3037662号公報
審査官引用 (8件)
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