特許
J-GLOBAL ID：200903080106068681
酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-268453
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107102
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】湿潤雰囲気においても安定で、基板に対する付着性および電子線リソグラフィー等の微細加工性に優れた新しい酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とそれらの製造方法を提供する。【解決手段】不活性ガス雰囲気において、一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させることで、酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜を製造する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させることを特徴とする酸化炭素系薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4G146AA15
, 4G146AA17
, 4G146AB07
, 4G146AD01
, 4G146AD02
, 4G146BA08
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC08
, 4G146BC16
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC26
, 4K029BA34
, 4K029BA41
, 4K029BA43
, 4K029BB08
, 4K029BB10
, 4K029BC00
, 4K029CA00
, 4K029CA06
, 4K029DA04
, 4K029DC01
