特許

J-GLOBAL ID：200903080192108771

p型III族窒化物半導体および半導体装置およびその作製方法

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122727
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319743
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 従来のp型III族窒化物半導体超格子からなるp型半導体よりも低抵抗のp型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するp型III族窒化物半導体を提供する。【解決手段】 このp型III族窒化物半導体は、サファイア基板20上に低温GaNバッファー層21,GaN層22が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、In0.04Al0.2Ga0.76N層とp型In0.1Al0.04Ga0.86N層との超格子構造からなるp型III族窒化物半導体23である。

請求項（抜粋）：

InとAlを構成元素に含む第1のIII族窒化物半導体と、第1のIII族窒化物半導体よりもバンドギャップが小さく、Inを構成元素に含む第2のIII族窒化物半導体とが交互に積層された超格子構造で構成されていることを特徴とするp型III族窒化物半導体。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

Fターム (40件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA66 ,  5F045DA68 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社
• 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-353241   出願人：富士通株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-250540   出願人：松下電器産業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066254   出願人：住友化学工業株式会社