光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-353241
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040858
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 SiC基板上に形成するGaN系半導体技術に関し、SiC基板上にGaN系半導体結晶をエピタキシャルに成長し、かつSiC基板とGaN系半導体結晶層との間に良好な電気的伝導性を実現する技術を提供することを目的とする。【解決手段】 n型SiC基板と、前記n型SiC基板上に直接エピタキシャルに形成され、3×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>のn型キャリア濃度を有するAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0<x<0.4)とを有する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有するSiC基板と、前記基板上にエピタキシャルに形成された、前記第1の導電型を有し、組成がAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nで表されるAlGaNよりなるバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャルに形成された前記第1の導電型を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上にエピタキシャルに形成された活性層と、前記活性層上にエピタキシャルに形成された、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層に第1の極性の第1のキャリアを注入するように形成された第1の電極と、前記SiC基板上に、第2の極性の第2のキャリアを注入するように形成された第2の電極とよりなり、前記バッファ層は、前記第1の導電型のキャリアを、3×10<SP>18</SP>〜1×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>の範囲の濃度で含み、前記組成パラメータxが0より大で0.4より小である(0<x<0.4)ことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217875 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059153 出願人：株式会社東芝
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042964 出願人：株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (9件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217875 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059153 出願人：株式会社東芝
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042964 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る