特許
J-GLOBAL ID：200903080205638562
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263953
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100490
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 エリア実装用半導体パッケージに関し、室温及び半田付け工程での反りが少なく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性に優れ、かつ放射性物質によるメモリーの誤動作を起こさない半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 一般式(2)、(3)で示されるエポキシ樹脂及び/又は融点50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂の群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂、一般式(1)のフェノール樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤中に20重量%以上含み、硬化促進剤及び溶融シリカ粉末からなり、全組成物中のU、Thの合計量が2ppb以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】
請求項（抜粋）：
(A)一般式(2)、(3)で示される多官能エポキシ樹脂及び/又は式(4)〜(8)で示され、かつ融点が50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂の群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂、(B)一般式(1)で示されるフェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)溶融シリカ粉末からなり、全組成物中のU、Thの合計量が2ppb以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】【化3】【化4】式(1)、(2)、(3)及び(8)中のRはハロゲン原子又は炭素数1〜12のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。lは1〜10以下の正の整数、mは0もしくは1〜3の正の整数、及びnは0もしくは1〜4の正の整数である。式(4)〜(7)中のRは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜12のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。
IPC (8件)：
C08L 63/00
, C08G 59/24
, C08G 59/32
, C08G 59/40
, C08G 59/62
, C08K 3/36
, H01L 23/29
, H01L 23/31
C08L 63/00 B
, C08G 59/24
, C08G 59/32
, C08G 59/40
, C08G 59/62
, C08K 3/36
, H01L 23/30 R
