特許
J-GLOBAL ID：200903080298703903
高選択性CMPを用いた集積回路装置のトレンチ素子分離方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140757
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007195
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 製造過程が簡単ながらもトレンチの埋立てが容易なトレンチ素子分離方法を提供する。【解決手段】 ベアシリコン基板100の一面にフォトレジストパターン110を形成し、フォトレジストパターン110を蝕刻マスクとして使用して基板100を所定深度蝕刻することによってトレンチTを形成した後、フォトレジストパターン110を除去する。そしてトレンチT内に絶縁層130を形成し、酸化セリウム系列の研磨剤を含むスラリーを使用して基板100が露出されるまで化学機械的研磨工程を遂行する。またトレンチTを形成した後結果物の全面に窒化物ライナーを形成してCMP工程のストッパとして使用してもよい。
請求項（抜粋）：
集積回路装置のトレンチ素子分離方法において、ベア基板の一面にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用し前記基板を所定深度蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去する段階と、前記トレンチ内に絶縁層を形成する段階と、絶縁層が形成された前記結果物に対して酸化セリウム系列の研磨剤を含むスラリーを使用して前記基板が露出されるまで化学機械的研磨工程を遂行する段階とを具備することを特徴とするトレンチ素子分離方法。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, H01L 21/306
H01L 21/76 L
, H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/306 M
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
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