窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-063426
公開番号（公開出願番号）：特開2009-215142
出願日： 2008年03月13日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを3〜4重量%、少なくとも1種の希土類元素の酸化物を2〜5重量%を合計5〜8wt%になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で0.5〜6.0kPaの荷重を印加しながら1550〜1700°Cで熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム(Y)と、マグネシウム(Mg)を含有し、表面におけるMg量の分布を示す変動係数が0.20以下であり、反りが2.0μm/mm以下の窒化珪素基板を製造する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

β型窒化珪素と、イットリウム(Y)と、マグネシウム(Mg)を含有する窒化珪素基板において、前記窒化珪素基板の表面におけるMg量の分布を示す変動係数が0.20以下であり、反りが2.0μm/mm以下であることを特徴とする窒化珪素基板。

IPC (4件)：

C04B 35/584 , C04B 35/64 , H05K 1/03 , H01L 23/12

FI (4件)：

C04B35/58 102C , C04B35/64 G , H05K1/03 610D , H01L23/12 J

Fターム (17件)：

4G001BA06 , 4G001BA09 , 4G001BA32 , 4G001BB06 , 4G001BB09 , 4G001BB32 , 4G001BC12 , 4G001BC22 , 4G001BC71 , 4G001BD03 , 4G001BD11 , 4G001BD14 , 4G001BD16 , 4G001BD23 , 4G001BE03 , 4G001BE32 , 4G001BE35

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭61-10069号公報
耐摩耗性部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-204057 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (11件)

特開平3-040968
特開昭61-017474
窒化珪素焼結体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-108937 出願人：日本碍子株式会社

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