特許

J-GLOBAL ID：200903080407343998

強誘電体薄膜の形成方法

発明者： 木島 健 ,  ▲濱▼田 泰彰 ,  名取 栄治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071953
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281762
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】Ptからなる金属薄膜上において、良好な結晶品質のPZT系複合酸化物からなる強誘電体薄膜を得ることができる強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体薄膜の形成方法は、有機金属気相成長法を用いて、Ptからなる金属薄膜60上にPZT系複合酸化物からなる強誘電体薄膜を形成するための方法であって、Pb原料の供給を開始して、前記金属薄膜60の上にPbとPtとの合金膜61を形成すること、その後、Ti原料の供給を開始して、前記合金膜61の上にPbTiO3からなる複合酸化物の初期結晶核71を形成すること、さらにその後、Zr原料の供給を開始して、前記初期結晶核71の上部にPZT系複合酸化物の結晶成長層72を形成すること、を含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法を用いて、Ptからなる金属薄膜上にPZT系複合酸化物からなる強誘電体薄膜を形成するための方法であって、 Pb原料の供給を開始して、前記金属薄膜の上にPbとPtとの合金膜を形成すること、 その後、Ti原料の供給を開始して、前記合金膜の上にPbTiO3からなる複合酸化物の初期結晶核を形成すること、 さらにその後、Zr原料の供給を開始して、前記初期結晶核の上部にPZT系複合酸化物の結晶成長層を形成すること、 を含む、強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101D ,  H01L27/10 444B

Fターム (15件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241222   出願人：日本電気株式会社
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136788   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-066552   出願人：東京エレクトロン株式会社
• CVD薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330674   出願人：大阪瓦斯株式会社