オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239744
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076911
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】波長変換層を有している、放射放出型の層列を備えたオプトエレクトロニクス素子を提供する。【解決手段】オプトエレクトロニクス素子が基板と、基板上に配置されている第1の電極と、駆動時に電磁的な1次放射を放出する活性領域を備えた放射放出型の層列と、放射放出型の層列上に配置されている、1次放射に対して透過性である第2の電極と、第2の電極上に析出されているカプセル化装置とを有し、カプセル化装置は、少なくとも1つの第1のバリア層と、1次放射を少なくとも部分的に電磁的な2次放射に変換する少なくとも1つの第1の波長変換層とを備えた積層体を有し、カプセル化装置は少なくとも部分的に1次放射および/または2次放射に対して透過性である。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

オプトエレクトロニクス素子において、基板(1)と、前記基板(1)上に配置されている第1の電極(2)と、駆動時に電磁的な1次放射を放出する活性領域(30)を備えた放射放出型の層列(3)と、前記放射放出型の層列(3)上に配置されている、前記1次放射に対して透過性である第2の電極(4)と、前記第2の電極(4)上に析出されているカプセル化装置(10)とを有し、前記カプセル化装置(10)は、少なくとも1つの第1のバリア層(6)と、前記1次放射を少なくとも部分的に電磁的な2次放射に変換する少なくとも1つの第1の波長変換層(5)とを備えた積層体を有し、前記カプセル化装置(10)は少なくとも部分的に前記1次放射および/または前記2次放射に対して透過性であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (2件)：

5F041AA11 , 5F041CA45

引用特許：

審査官引用 (7件)

波長変換型半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-045325 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光素子および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-109431 出願人：豊田合成株式会社
白色発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-135969 出願人：コニカミノルタオプト株式会社

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