特許
J-GLOBAL ID:200903080490604781

真空アーク蒸着装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-303266
公開番号(公開出願番号):特開2002-105628
出願日: 2000年10月03日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】 基体に表面平滑で、密着性の良い、純度の高い良質の薄膜を形成できる真空アーク蒸着装置を提供する。【解決手段】 この真空アーク蒸着装置は真空アーク放電によって、蒸発源6に取り付けられた陰極7から生成する陰極物質を含むプラズマを粗大粒子を除去して、成膜室1に収納された基体11近傍に導くように、その外部に磁気コイル8を有する偏向磁場形成手段が設けられたプラズマダクト5の内壁に多孔部材10を配設している。
請求項(抜粋):
真空アーク放電によって、陰極を蒸発させて陰極物質を含むプラズマを生成する真空アーク蒸発源と、基体を収納して真空排気される成膜室と、この真空アーク蒸発源によって生成したプラズマを、粗大粒子を除去して基体近傍に導くように、その外部に偏向磁場形成手段を有する湾曲したプラズマダクト、とを備える薄膜形成装置において、前記プラズマダクトの内壁に、多孔部材を配設してなることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
IPC (2件):
C23C 14/24 ,  H05H 1/24
FI (2件):
C23C 14/24 F ,  H05H 1/24
Fターム (9件):
4K029CA01 ,  4K029DA00 ,  4K029DA09 ,  4K029DB03 ,  4K029DB04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB17 ,  4K029EA06 ,  4K029JA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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