特許
J-GLOBAL ID：200903080631524884
半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材及びそれを用いて製造される半導体ダイヤモンド
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201997
公開番号（公開出願番号）：特開2002-018267
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：
【要約】【課題】 ホウ素またはホウ素化合物を含有し、これらが一様に分布した半導体ダイヤモンドを高い収率で製造することができる半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材を提供する。【解決手段】 ホウ素を含有した半導体ダイヤモンドを高圧合成法で製造する際に、半導体ダイヤモンドに転換する黒鉛材にホウ素又はホウ素化合物を均質になるように添加し、緻密化し、高純度化して水素含有量を低減させる。
請求項（抜粋）：
高圧合成法による半導体ダイヤモンドの製造に用いられる黒鉛材であって、前記黒鉛材がホウ素又はホウ素化合物を含有している半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材。
IPC (3件)：
B01J 3/06
, C01B 31/06
, C04B 35/52
B01J 3/06 R
, C01B 31/06 A
, C04B 35/54 B
4G032AA02
, 4G032AA04
, 4G032AA08
, 4G032AA21
, 4G032AA34
, 4G032BA04
, 4G032GA12
, 4G032GA19
, 4G046GA03
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
