半導体ダイヤモンド及びその形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081588
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】酸素原子と水素原子を構成元素として有するラジカルを照射するなどによって半導体特性を有するダイヤモンドとそれらの形成方法を提供する。【解決手段】真空チャンバ1の下部電極(試料台)5にシリコン(Si)基板、面方位(100)の被処理基体7を載置し、ヒータ6により、被処理基体7および下部電極5を加熱し、ガス導入口よりメチルアルコールガスを流量12sccmで導入し、圧力0.7Paで一定とする。ラジカル発生管12に水素ガスと水の混合比を変化させ、この混合ガスをガス導入口13から導入する。ラジカル発生機構14に、マイクロ波を電力100Wで印加してプラズマ15を形成し、その後、真空チャンバ1に設置された上部電極4と下部電極5との間に高周波電源よりRF波を、電力150Wで印加してプラズマを形成し、これによりプラズマ中に、水と水素ガスのマイクロ波励起プラズマにより分解され発生したラジカルを注入する。

請求項（抜粋）：

半導体特性を有するダイヤモンドであって、前記ダイヤモンド内部に、少なくとも酸素原子を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。

IPC (3件)：

C30B 29/04 , C30B 31/08 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/04 D , C30B 31/08 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

導電性ダイヤモンドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-033094 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-029379
特開平3-257098

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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