特許
J-GLOBAL ID：200903080675496306

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
黒崎 一秀

黒崎 一秀 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318824
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143486
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 プログラム・ベリファイ電圧発生器およびイレーズ・ベリファイ電圧発生器を不要としたベリファイ動作をおこなうこと。【解決手段】 リファレンスセル30のソース側ビット線の出力部に本来並列に接続されている容量に加えて、容量C20を並列に接続し、さらにデータ読み出し時およびプログラム・ベリファイ時に並列に接続されかつイレーズ・ベリファイ時に切り離される容量C21と、プログラム・ベリファイ時に並列に接続される容量C22とを備える。これにより、プログラム・ベリファイとイレーズ・ベリファイ動作に応じて、リファレンスセル30側から出力されるSAREF信号の電位を増減させることができる。
請求項（抜粋）：
電気的消去および書き込みを可能とするデータ記憶用メモリセルと、前記データ記憶用メモリセルの記憶状態を判断するためのリファレンス用メモリセルと、前記データ記憶用メモリセルに流れる電流を充電する第1の容量と前記リファレンス用メモリ・セルに流れる電流を充電する第2の容量との間の充電速度差および電位差を検出するセンスアンプと、を具備し、前記センスアンプによる検出結果によって前記データ記憶用メモリセルのデータ読み出し、プログラム・ベリファイおよびイレーズ・ベリファイ動作をおこなう不揮発性半導体記憶装置において、前記データ読み出し、プログラム・ベリファイおよびイレーズ・ベリファイ動作に応じて、前記第2の容量の容量値を変化させる容量値可変手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E
Fターム (6件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD06 ,  5B025AD07 ,  5B025AE07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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