特許
J-GLOBAL ID:200903080715954868
プラズマアッシング装置及び終了点検出プロセス
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (10件):
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 舘石 光雄
, 小野塚 薫
, 田上 明夫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
, 加藤 勉
, 村越 祐輔
, 小宮 知明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-533306
公開番号(公開出願番号):特表2007-501534
出願日: 2004年05月21日
公開日(公表日): 2007年01月25日
要約:
低k誘電体を含む基板から有機材料を取り除くためのプラズマアッシング装置は、第1ガス源と、この第1ガス源に流体連通するプラズマ発生コンポーネントと、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、第2ガス源のための入口を有する排気導管と、前記排気導管に結合され、前記入口が処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されるアフターバーナーアセンブリと、前記排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含む。酸素と窒素を含有しないプラズマ処理のためのエンドポイント検出方法が、プラズマアッシング装置の排気導管内で励起した種をアフターバーナーの工学的放出信号を監視することを含んでいる。この方法と装置は、炭素および/または水素を有する低k誘電体材料を用いることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板からフォトレジストおよび/またはポストエッチングの在留物を除去するためのプラズマアッシング装置であって、
第1ガス源と、
この第1ガス源に流体連通し、前記基板からフォトレジストおよび/またはポストエッチングの在留物を選択的に除去するための第1プラズマを発生させるプラズマ発生コンポーネントと、
前記プラズマを受け入れるために、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、内部に前記基板を含む処理室と、
この処理室と流体連通する排気導管と、
この排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含み、
前記排気導管は、第2ガス源を導くためのポートと、前記排気導管に結合されるアフターバーナーアセンブリとを含み、前記ポートは、前記処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されることを特徴とする装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (20件):
5F004AA02
, 5F004AA06
, 5F004AA09
, 5F004AA14
, 5F004BA03
, 5F004BB05
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004BC02
, 5F004BD01
, 5F004CA02
, 5F004CA04
, 5F004CB02
, 5F004DA22
, 5F004DA24
, 5F004DB26
引用特許:
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