特許
J-GLOBAL ID:200903080742008796

熱電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-123574
公開番号(公開出願番号):特開平10-303472
出願日: 1997年04月25日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】 熱電半導体チップと電極との接合位置ズレ,使用時における熱電半導体チップと電極との接合信頼性優れ,かつ発熱,冷却効果に優れた熱電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 相対向して配設された一対の熱交換基板210,220と,該熱交換基板の内側面にそれぞれ設けた複数の電極21,22と,上記一対の熱交換基板210,220の各電極21,22の間に隣り合って配置され,上記電極によって直列接続された,P型熱電半導体チップ11とN型熱電半導体チップ12とよりなる熱電変換素子において,上記熱電半導体チップ11,12の間には合成樹脂よりなる樹脂部3を設けてなり,かつ該樹脂部3と上記熱交換基板210,220との間には空隙部31を設けてなること。
請求項(抜粋):
相対向して配設された一対の熱交換基板と,該熱交換基板の内側面にそれぞれ設けた複数の電極と,上記一対の熱交換基板の各電極の間に隣り合って配置され,上記電極によって直列接続された,P型熱電半導体チップとN型熱電半導体チップとよりなる熱電変換素子において,上記熱電半導体チップの間には合成樹脂よりなる樹脂部を設けてなり,かつ該樹脂部と上記熱交換基板との間には空隙部を設けてなることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2件):
H01L 35/32 ,  H01L 23/28
FI (2件):
H01L 35/32 A ,  H01L 23/28 Z
引用特許:
審査官引用 (6件)
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