特許
J-GLOBAL ID：200903080757053143

不揮発性メモリアナログ電圧書き込み回路

発明者：
杉村 直昭

杉村 直昭 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364603
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015590
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 書き込み電圧の精度の向上及び書き込み時間の短縮を図ることの可能な不揮発性メモリアナログ電圧書き込み回路を提供する。【解決手段】 書き込み回路100は,制御信号S0〜S4に応じて,書き込み電圧Vppを変化させる書き込み電圧発生回路110と,メモリセルのドレイン電流のカレントミラー比電流と基準電流Irefとを比較するマルチレベルセンスアンプ140と,マルチレベルセンスアンプの出力とカウンタ-デコーダ回路150の出力とを比較する比較回路160と,比較回路の比較結果により制御信号を出力するアップダウンシフトレジスタ回路170を備える。書き込み時間としきい値電圧上昇とを比較し,その比較結果に応じて書き込み電圧を変化させることができるため,選択されたメモリセルの最適な書き込み条件で書き込み動作を行うことができる。
請求項（抜粋）：
電気的書き込み消去可能な不揮発性メモリにアナログ電圧を記憶させる回路において,入力されたアナログ電圧値からメモリセル書き込み時にメモリセルのコントロールゲートに印加する書き込み電圧を発生させる書き込み電圧発生回路と,入力されたアナログ電圧値からメモリセルベリファイ時に,メモリセルのコントロールゲートに印加するベリファイ電圧を発生させるベリファイ電圧発生回路と,メモリセル書き込み時にメモリセルのソースに印加するソース電圧を発生させ,制御信号の入力によって反転増幅器の利得を変化させて出力ソース電圧を変化させるソース電圧発生回路と,メモリセルベリファイ時にメモリセルドレイン電流のカレンミラー比電流を比較基準電流と比較するマルチレベルセンスアンプと,所定の書き込み信号パルス数に信号を出力するカウンタ-デコーダ回路と,前記マルチレベルセンスアンプ出力と前記カウンタ-デコーダ回路出力とを比較する比較回路と,前記比較回路の比較結果により前記制御信号のレベルをシフトさせるアップダウンシフトレジスタ回路と,を備えたことを特徴とする,不揮発性メモリアナログ電圧書き込み回路。
IPC (2件)：
G11C 27/00 101 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G11C 27/00 101 A ,  G11C 17/00 641
Fターム (8件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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