特許
J-GLOBAL ID：200903080780420919
半導体レンズの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139418
公開番号（公開出願番号）：特開2007-193293
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】任意形状の半導体レンズを容易に形成することが可能な半導体レンズの製造方法を提供する。【解決手段】p形のシリコン基板からなる半導体基板10(図1(a))の一部を除去して半導体レンズ1(図1(e))を製造する半導体レンズ1の製造方法であって、所望のレンズ形状に応じて半導体基板10との接触パターンを設計した陽極12(図1(c))を半導体基板10の一表面側にオーミック接触をなすように形成する陽極形成工程と、半導体基板10の構成元素の酸化物を溶かす電解液中で半導体基板10の他表面側に対向配置した陰極と陽極12との間に通電して半導体基板10の他表面側に除去部位となる多孔質シリコンからなる多孔質部14(図1(d))を形成する陽極酸化工程と、多孔質部14を除去する多孔質部除去工程とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法であって、所望のレンズ形状に応じて半導体基板との接触パターンを設計した陽極を半導体基板の一表面側に形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に対向配置した陰極と陽極との間に通電して半導体基板の前記他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを有し、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用いることを特徴とする半導体レンズの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
出願人引用 (1件)
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3D Structuring of c-Si using porous Silicon as sacrificial Material
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