リン系有機基含有高分子を含む反射防止膜形成組成物

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205900
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、ArFエキシマレーザー(波長193nm)の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物の提供。【解決手段】リン原子を含有する高分子化合物を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物。高分子化合物はリン原子を含む有機基により少なくとも1つ置換されたジエン化合物の重合体である。リン原子を含む有機基はホスホン酸エステルから誘導される一価の有機基である。ジエン重合体はcis-1,4-構造、trans-1,4-構造、又は1,2-構造からなる置換されたブタジエン重合体である。高分子化合物が式(1):【化1】の繰り返し単位の構造を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リン原子を含有する高分子化合物を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物。

IPC (4件)：

G03F7/11 , C08F30/02 , C08F36/14 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/11 503 , C08F30/02 , C08F36/14 , H01L21/30 574

Fターム (33件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 4J100AB02Q , 4J100AE02Q , 4J100AG02Q , 4J100AJ01Q , 4J100AJ08Q , 4J100AK32Q , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AL44Q , 4J100AM02Q , 4J100AM15Q , 4J100AM17Q , 4J100AM19Q , 4J100AM21Q , 4J100AM43Q , 4J100AP07P , 4J100BA03Q , 4J100BA14Q , 4J100BA65P , 4J100BB01Q , 4J100BB07Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC43Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-337838 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-256317 出願人：三洋電機株式会社
感光性平版印刷版
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-067559 出願人：コニカ株式会社

全件表示

前のページに戻る