特許
J-GLOBAL ID：200903080824817900
半導体ウェーハの洗浄乾燥方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303958
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109931
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 研磨面のパーティクルを低減する半導体ウェーハの洗浄乾燥方法を提供する。【解決手段】 表面研磨されたシリコンウェーハWを、界面活性剤を含む洗浄液によって最終洗浄し、研磨面を親水性の面とする。この親水性の研磨面のまま、シリコンウェーハWの表面をスクラビングせずに乾燥する。このように、界面活性剤を含む洗浄液によって最終洗浄されるので、乾燥されるシリコンウェーハWの研磨面は親水性の面となる。そのため、スクラビングすることにより疎水性の面となる従来法に比べて、シリコンウェーハWの表面にパーティクルが付着しにくい。
請求項（抜粋）：
表面研磨された半導体ウェーハに、界面活性剤を含む洗浄液を使用して、研磨終了直後に行われる洗浄を施す研磨後洗浄工程と、この研磨後洗浄工程後、半導体ウェーハを乾燥する工程とを備えた半導体ウェーハの洗浄乾燥方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 647
, H01L 21/304 651
, H01L 21/304
, B08B 3/08
H01L 21/304 647 B
, H01L 21/304 651 B
, H01L 21/304 651 G
, B08B 3/08 Z
3B201AA03
, 3B201BB93
, 3B201BB94
, 3B201BB96
, 3B201CC01
, 3B201CC13
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
