特許
J-GLOBAL ID：200903080846539327
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134746
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】パワー半導体素子などの発熱チップ部品を搭載して放熱用金属ベース板上にはんだ接合した絶縁基板において、熱サイクルなどによりはんだ接合部にはんだ亀裂が発生するまでの時間を延ばして疲労寿命の向上化を図る。【解決手段】方形状のセラミック基板10のおもて,うら両面に導体パターン11,12を接合形成した構造になり、おもて面側の導体パターンとここにマウントしたチップ熱部品との間、およびうら面側の導体パターンと放熱用金属ベース板との間をはんだ接合した絶縁基板において、セラミック基板の四隅コーナー部を面取りしてここに面取り寸法d:2mm〜10mmの面取り部10aを形成する。これにより、熱サイクルに起因してはんだ接合部に発生する応力集中が緩和され、はんだ亀裂が発生するまでの時間が延びて基板の疲労寿命が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
方形状のセラミック基板の両面に導体パターンを接合形成してなる絶縁基板を用いた半導体装置において、
前記セラミック基板は、四隅コーナー部を、面取り寸法が2mm以上10mm未満の範囲で面取りされたものであって、前記セラミック基板のおもて面側の導体パターンとここにマウントした発熱部品との間、および前記セラミック基板のうら面側の導体パターンと金属ベースとの間をはんだ接合してなる半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/48 G
, H01L23/12 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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