半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201632
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050071
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】センスアンプ回路の後段にNOR論理を有する回路では、NOR論理により素子数が増大され、かつ負荷容量の増大が生じて動作速度の高速化が難しくなる。【解決手段】小振幅の差動電圧信号を入力とする1段構成の差動増幅回路M1〜M4と、この差動増幅回路の出力を入力とする駆動バッファ回路M7,M8とを備え、差動増幅回路が不活性状態のときの差動出力レベルが駆動バッファ回路をハイインピーダンス状態とするレベルに設定される。このため、差動増幅回路の次段にNOR論理が不要となり、このNOR論理を構成するための素子が不要となり、かつNOR論理が要因とされる負荷容量が低減でき、高速動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

小振幅の差動電圧信号を入力とする1段構成の差動増幅回路と、この差動増幅回路の出力を入力とする駆動バッファ回路とを含むセンスアンプ回路を備え、前記差動増幅回路が不活性状態のときの差動出力レベルが前記駆動バッファ回路をハイインピーダンス状態とするレベルに設定されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

メモリ読出回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-339126 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-300538 出願人：シャープ株式会社
特開平2-273396

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